60ナノ秒の応答時間と個体間特性のバラつきを抑制した絶縁型ゲートドライバ

STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は、60ナノ秒の応答時間と個体間特性のバラつきを最小限まで抑制した車載グレード対応のガルバニック絶縁型4Aゲートドライバ「STGAP2SA」および「STGAP2HSA」を発表した。

  • 絶縁型ゲートドライバ「STGAP2SA」および「STGAP2HSA」

    絶縁型ゲートドライバ「STGAP2SA」および「STGAP2HSA」のパッケージ外観 (出所:STMicroelectronics)

さまざまな車載用途に適用が可能

2製品ともに最大1200Vの高電圧レールで動作するIGBTやSiパワーMOSFETに最適化したもので、ユニポーラあるいはバイポーラの駆動において、最大26Vの駆動電圧で4Aの電流シンク/ソースが可能。AEC-Q100規格に準拠し、従来型自動車やハイブリッド自動車、電気自動車など幅広いアプリケーションに対応でき、その応用先としてもDC-DCコンバータ、ポンプ、ファン、ヒーター、電動コンプレッサ、オンボード・チャージャ(OBC)など幅が広い。また、壁設置型や台座設置型のDC充電システム、産業用のインバータやモータドライバなどでも活用が可能だとしている。

さらに、保護機能として、低電圧ロックアウト(UVLO)やパワーアップ/パワーダウン時の出力を安全な状態に保つ機能を内蔵しており、設計の簡略化とともに信頼性の向上にも寄与するという。加えて、寄生インダクタンスによるターンオンを防止するミラークランプも内蔵しているほか、最大安全温度を超える動作を防止し、温度が下がると自動的に動作を再開するサーマルシャットダウンも搭載。このほか、自己モニタリングを行うウォッチドッグにより、低電圧側からの通信が途切れた場合でも、出力を安全な状態に保つことができるとするほか、省電力のスタンバイモードにも対応しているとする。

なお、2製品ともにUL 1577規格の絶縁定格に準拠。STGAP2SAは、標準SO-8パッケージで提供され、4800Vの過渡絶縁電圧およびサージ絶縁電圧(VIOTMおよびVIOSM)を備えており、もう一方のSTGAP2HSAは、IEC 60747-17の基本絶縁規格に準拠し、6000Vのサージ絶縁電圧(VIOSM)を備え、8mmの沿面距離と空間距離を持つワイドボディのSO-8Wパッケージで提供される。いずれもすでに量産中で、単価は1000個購入時で約1.55ドルとしている。