セイコーエプソンは1月28日、科学技術振興機構(JST)が公募し採択された「次世代エッジAI半導体研究開発事業」に参加することを発表した。

大学・企業との共創で3Dヘテロ集積技術確立を目指す

近年ではデータ処理需要が急増しており、それに伴って、クラウドに依存せず端末単体で高性能なAI処理を実現する“エッジAI半導体”が注目されている。特に現在はフィジカルAIの利用が進んでおり、より高い処理能力を備えたAI半導体の開発が求められているという。

そうした中でJSTが今般公募を行った次世代エッジAI半導体に関する研究開発事業は、産学が一体となって高性能・高機能な次世代エッジAI半導体の開発を目指す“国家プロジェクト”とのこと。その中でセイコーエプソンは、共に参画する東北大学などと共に、次世代エッジAI半導体に不可欠な技術要素のひとつである「3Dヘテロ集積技術」の研究開発に取り組むとする。

同技術は、異なる種類の材料を組み合わせて、複数のチップや光部品を小さなスペースに高密度で立体的に集積するもの。セイコーエプソンによれば、次世代に求められる高性能・高機能な半導体の実現には、こうした高密度実装技術が不可欠だという。

なお今回の研究開発事業には、セイコーエプソンと東北大のほかに、北海道大学、東京大学、熊本大学と民間企業6社が参画し、分担して研究を行うとのことで、事業期間は2025年度から5年間と予定されている。セイコーエプソンは同事業において、長年培ってきた低消費電力の半導体技術と高密度実装のノウハウを活かし、さらにこれらを融合させることで、次世代エッジAI半導体の開発に貢献するとしている。