650V耐圧のSiC SBDとして3シリーズを開発

トレックス・セミコンダクターは1月20日、突入電流やサージ電流に強い650V SiCショットキーバリアダイオード(SBD)として、順方向電流が6A品「XBSC41シリーズ」、8A品「XBSC42シリーズ」、10A品「XBSC43シリーズ」を開発したことを発表した。

  • XBSC41/XBSC42/XBSC43シリーズ

    「XBSC41/XBSC42/XBSC43シリーズ」のパッケージ外観 (出所:トレックス・セミコンダクター)

3シリーズともに、低逆回復特性によりスイッチング損失を抑え、高効率な電力変換を実現するほか、性能指数(FOM)を小さく抑えることで損失を低減し、高効率な動作を可能にすると同時にIFSM(サージ順電流)耐量を強化したことで、過酷なサージ電流や突入電流が発生する環境下においても安定した動作を実現し、システム全体の信頼性向上を図ることを可能にしたという。

なお、これら3シリーズはTO-220ACならびにTO-220FM-2パッケージで提供され、スイッチング電源、白物家電、汎用インバータなど信頼性が重視される幅広いアプリケーションをターゲットとしていくと同社では説明している。