ロームとInfineonがSiCのパッケージ共通化で合意

ロームとInfineon Technologies(インフィニオン テクノロジーズ)は9月25日、SiCパワーデバイスのパッケージに関する協力体制の構築に向けた覚書を締結したことを発表した。

この協業は、車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイス向けパッケージにおいて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を目指すものだという。この取り組みにより将来、両社から互換性のある製品の調達が可能となるため、ユーザーニーズに応じて、製品を併用したり切替を行ったりすることが容易になるという。

  • 握手を交わすインフィニオンとローム幹部

    握手を交わすInfineonのグリーン インダストリアル パワー事業部プレジデントであるピーター バーウァー(Peter Wawer)氏とローム取締役 常務執行役員 パワーデバイス事業担当の伊野和英氏 (提供:ローム/Infineon)

さまざまなパワー半導体のパッケージに協業を拡大

また、協業の一環として、ロームはInfineonの革新的なSiC向けトップサイド冷却プラットフォーム(TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual、H-DPAKパッケージを含む)を採用するという。同プラットフォームは、全パッケージの高さを2.3mmに標準化しており、設計の容易化、冷却システムのコスト削減に加え、基板スペースの有効活用や、最大2倍の電力密度向上を可能にするという。

一方のInfineonも、ロームのハーフブリッジ構成のSiCモジュール「DOT-247」を採用し、互換性のあるパッケージを開発するとのことで、新たに発表したDouble TO-247 IGBTラインアップに、SiCハーフブリッジソリューションを追加するとしている。同モジュールは、従来のディスクリートパッケージ比で、より高い電力密度と設計自由度を実現するもの。2つのTO-247パッケージを連結した独自構造を採用しており、TO-247比で熱抵抗を約15％、インダクタンスを50％低減できるほか、2.3倍の電力密度を提供するとしている。

なお、両社は今後、シリコンやGaNなどSiC以外のパッケージについても協業を拡大する計画としており、ユーザーに対してより幅広いソリューションと調達の選択肢を提供していくことを目指すという。