JSR/InpriaとLamがクロスライセンス契約を締結

JSRおよび同社子会社でEUVリソグラフィ用金属酸化物フォトレジスト(MOR:Metal Oxide Resist)メーカーである米Inpriaは9月16日、Lam Researchと次世代半導体製造に向けた非独占的なクロスライセンス契約および協業に合意したことを発表した。

この合意に基づき、JSR/InpriaのMORを含むEUVリソグラフィ向け材料と、Lamのエッチングやドライレジスト成膜技術で協業することとなり、先端EUV材料や次世代パターニング材料の共同開発を進めることとなる。

また、CVD(Chemical Vapor Deposition)/ALD(Atomic Layer Deposition)向け高純度プリカーサーについても、JSR子会社のヤマナカヒューテックとのシナジーを活かした探索・プロセス開発を推進するとしており、こうした取り組みを通じて、AIやHPCを中心とした先端半導体プロセスに求められる複雑なパターンのプロセス複雑性の低減とコスト低減、ならびに歩留まりやスループットの向上の両立を目指すとしている。

InpriaによるLamへの提訴は取り下げ

なお、InpriaとLamは先だって2022年に、LamがInpriaの特許取得済み金属酸化物フォトレジスト技術を無断で使用したとして、米国デラウェア州連邦地方裁判所に特許侵害訴訟を提起していたが、今回の協業の合意により、この係争(Inpria v. Lam Research, Case 1:22-cv-01359)および関連する特許異議申立手続(IPR:Inter Partes Review)の取り下げについても合意したとのことで、今後は協力して半導体製造装置のリーディングカンパニーと半導体材料のリーディングカンパニーの能力・知見・リソースを結集することで、顧客にとって重要な領域でイノベーションを加速することを目指すとしている。