imecが高NA EUV露光装置の設置に向けた台座の工事を完了

独立系先端半導体研究機関であるベルギーimecは、同社の300mm研究ライン「imec Fab 3」の空きスペースに、最新の量産向け高NA EUV露光装置「Twinscan EXE:5200」の設置に向けた台座の取り付け工事を行ったことを同社のLinkedInにて明らかにした。

  • imec Fab 3における高NA EUV露光装置設置に向けた台座の取り付けの様子
  • imec Fab 3における高NA EUV露光装置設置に向けた台座の取り付けの様子

  • imec Fab 3における高NA EUV露光装置設置に向けた台座の取り付けの様子 (出所:imecのLinkedIn)

この取り組みは、EUやベルギー・フランダース地方政府のなどの資金で発足した「NanoICプロジェクト(欧州における2nm以下の先端デバイス開発および試作に向けたパイロットライン設置計画)」の一環で、当初はimec本社キャンパス内に新たな研究開発ライン「Fab 4」を2025年内に着工し、そこに高NA EUV露光装置を設置すると思われていた。しかし、竣工が2027年の予定となっており、そこから高NA EUV露光装置を活用しようというと、動きが遅いということから、既存のFab 3に設置して活用しようということになった模様である。

ちなみにFab 3とFab 4はオフィス棟であるimecタワーを挟んだ場所という位置関係で、両棟間にはFOUP(ウェハボックス)専用のクリーントンネルが設置されることになっている。

2nm以降の微細プロセス実現に協力関係を深めるimecとASML

imecとEUV露光装置を手掛ける唯一の露光装置メーカーであるASMLは2024年6月、共同でASMLの本社があるオランダのフェルトホーフェンに「High NA EUV Lithography Lab」を開設し、コーター・デベロッパや検査といった各種装置メーカーやレジストや現像液といった各種材料メーカーとともに高NA EUVの実用化に向けた共同研究を行ってきたほか、2025年3月には研究と持続可能性に重点を置いた5年間有効の新たな戦略的パートナーシップ契約も締結してる。

なお、この契約で両者はそれぞれの知識と専門性を結集するとしており、ASMLは高NA(NA=0.55)のEUVのほか、既存のNA=0.33 EUV、ArF液浸(DUV)、光学計測装置、HMIシングルビームおよびマルチビーム技術を含むASMLさまざまな自社製品をimecの最先端パイロットライン(Fab 4、一部は既存のFab 3)に設置し、2nm以降の研究開発に向けた最先端のインフラを提供するとしている。この契約履行に際して、EU主導のnanoICプロジェクト、オランダ政府、ベルギー・フランダース地方政府(ベルギーは地方分権により科学技術振興は地方政府の権限)が資金援助を行っている。