DB HiTekが650V GaN HEMTプロセスの提供を計画

韓国のパワー半導体ファウンドリDB HiTekは、次世代パワー半導体プラットフォームである650V EモードGaN HEMTプロセスの開発が最終段階にあること、ならびに10月末より専用のGaN MPW(マルチプロジェクト・ウェハ)プログラムの提供を開始する予定であることを発表した。

GaNパワー半導体は、Siベースのパワー半導体と比べて、高速スイッチング性能や動作安定性に優れ、高い電力効率を実現するため、次世代のパワー半導体として期待されている。

650V以外のGaNプロセスの提供も計画

こうした市場ニーズの拡大を踏まえ、同社はGaNパワー半導体向けプロセスの開発を継続して行ってきており、目前に控える650V GaN HEMTプロセスの完成に続き、2026年末までにICとの統合に最適化された200V GaNプロセスならびに650V GaNプロセスも展開する予定としているほか、市場ニーズと顧客の要件に併せる形で、より広い電圧スペクトルにわたってGaNプラットフォームの拡大を図っていくとしている。

なお、この取り組みのサポートに向けて同社は韓国の忠清北道にある同社のFab2のクリーンルーム施設の拡張を行っているとする。この拡張により、GaNのほか、BCDMOS、SiCプロセスの生産をサポートする月間約3万5000枚(8インチ・ウェハ)の生産能力が追加されることとなり、完成すると全体の月間ウェハ総生産能力は現在の15万4000枚から19万枚へと引き上げられることになるという。