1β DRAMを採用したHBM4のサンプル出荷を開始

Micron Technologyは6月10日(米国時間)、複数の主要顧客に向けてHBMの最新世代となる「HBM4 36GB 12-high」のサンプル出荷を開始したことを発表した。

  • 1β DRAMプロセスを採用して製造されたHBM4 36GB 12-highのパッケージイメージ

    1β DRAMプロセスを採用して製造されたHBM4 36GB 12-highのパッケージイメージ (出所:Micron Technology)

このサンプル出荷が開始されたHBM4は、1β DRAMプロセスを採用して12層積層されたもので、2048ビットインタフェースを搭載し、メモリスタックあたり2.0TB/秒を超える速度と、前世代比で60％以上のパフォーマンス向上を実現しているとのことで、AIアクセラレータの応用速度向上と推論効率向上を可能とするとしている。

電力効率を前世代比20％以上向上

また、電力効率も前世代のHBM3E比で20％高めたとしており、より少ない消費電力でより高い性能をデータセンターに提供することを可能としたともしている。

なお、HBM4の生産については、顧客の次世代AIプラットフォームの立ち上げに併せる形で2026年に開始する予定だという。