TELとIBMが先端半導体技術の共同研究開発契約の延長で合意、次世代半導体開発を加速

IBMと東京エレクトロン(TEL)は4月3日、先端半導体技術の共同研究開発に関する契約を5年間延長することで合意したことを発表した。

• 

  新たな契約の締結に際し握手を交わすIBM Semiconductorsのゼネラル・マネージャー 兼IBM ハイブリッドクラウド担当バイス・プレジデントであるムケシュ・カレ(Mukesh Khare)氏(左)とTEL代表取締役社長・CEOの河合利樹氏 (右) (出所:IBM)

この新たな契約は、両社の半導体技術に関する共同研究開発における20年以上にわたるパートナーシップに基づくもの。両社はこれまでの共同研究に基づき、三次元チップ積層技術用の300mmシリコン・チップ・ウェハ製造に向けた新しいレーザー剥離プロセスの開発などの複数のブレークスルーを生み出してきたが、新たな契約では、IBMの半導体プロセス集積技術に関する専門知識とTELの最先端半導体製造装置に関する専門技術を結集し、将来の生成AIの性能とエネルギー効率の要件を達成することを目指した、より微細なプロセス(ノード)とチップレット・アーキテクチャ技術の探求を進めていくとしている。