大日本印刷(DNP)は12月12日、EUVリソグラフィに対応した2nmプロセス以降の微細ロジックプロセス向けフォトマスク上に求められる微細なパターンを解像することに成功したことを発表した。

  • DNPが開発した2nm世代以降のEUVリソグラフィ向けフォトマスク

    DNPが開発した2nm世代以降のEUVリソグラフィ向けフォトマスク (出所:DNP)

2nm世代以降のEUVリソ向けフォトマスクの実現には3nmプロセス世代に比べて、20％以上縮小されたパターンが要求されており、サイズのみならず形状も一般的な直線や矩形パターンだけでなく、複雑さを増した曲線パターンを含めた、すべての微細なパターンを同一マスク上で解像させる技術が必要となる。

そうした課題に対し同社は、これまでに確立させてきた3nm世代の製造プロセスをベースに改善を重ねることで、2nm世代以降に要求されるパターンの解像を達成したという。

  • EUVリソグラフィ用フォトマスク上の線幅17nmのLine&Spaceパターン画像

    EUVリソグラフィ用フォトマスク上の線幅17nmのLine＆Spaceパターン画像 (出所:DNP)

  • EUVリソグラフィ用フォトマスク上の微細曲線パターン画像

    EUVリソグラフィ用フォトマスク上の微細曲線パターン画像 (出所:DNP)

また併せて同社は、2nm世代以降の次世代半導体向けに適用が検討されている高開口数(高NA)に対応したフォトマスクの基礎評価が完了し、半導体開発コンソーシアムや製造装置メーカー、材料メーカーなどへの評価用フォトマスクのサンプル提供を開始したことも併せて発表した。この高NA-EUVリソグラフィ用のフォトマスクについては、通常のEUVリソグラフィ用フォトマスクと比べて、より高い精度と微細な加工が要求されることとなるが、同社では通常のEUVリソグラフィ向けフォトマスクとは異なる製造プロセスフローを構築した上で最適化を行うことで、この課題に対応したという。

なお、同社は今後、製造の歩留まり向上などの生産技術の確立を進め、2027年度の2nmプロセスを用いたロジック半導体向け量産フォトマスク供給開始を目指すとするほか、引き続きベルギーのimecと協力して、1nm世代のロジックプロセスへの適用を見据えた次世代フォトマスク製造技術の開発を推進していくという。