半導体製造装置メーカーのディスコは、パワー半導体向け材料として期待される炭化ケイ素(SiC)ウェハ用ダイシングハブブレード「ZHSC25 Series」、および電子部品の深切り加工に特化したダイシングハブレスブレード「Z25 Series」を開発した。
なおこの新製品は、12月11日から13日まで東京ビッグサイトにて開催されるエレクトロニクス製造の国際展示会「SEMICON Japan 2024」にて公開される。
ディスコ「SEMICON Japan 2024」関連リリース
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難削材であるSiCの高速加工に特化した「ZHSC25 Series」
カーボンニュートラル実現に向けて期待が高まるSiCは、次世代のパワー半導体材料として普及が広がっている。しかし同素材は非常に硬く削りにくいことから、加工に長い時間を要するなど課題が残されている。
そのためディスコは、SiCウェハの加工に特化したダイシングブレードの開発に着手。検討を重ね、SiC加工に最適化されたハブブレードが完成し、ZHSC25 Seriesとしての発表に至ったとする。
同社担当者によると、新製品は高速加工によるスループット向上を大きな強みとしており、従来品と同等の加工品質であれば約2.5倍の切断速度を実現するとのこと。難削材のダイシングにおいてブレードの刃先状態を良好に保つため必要となるインターバルドレスの頻度も低減されるといい、製造ラインにおける加工を停止する頻度が少なくなることから、装置稼働率の向上にも寄与するとしている。
高い真直性で高精度深切り加工を実現した「Z25 Series」
またディスコは、電子部品用の深切り加工に最適化された電鋳ボンドブレードのZ25 Seriesも併せて発表。小型化や高性能化の進行に伴って要求が高まるブレード加工の寸法精度を向上させるため開発されたものだとする。
同製品は、薄刃でありながら真直性の高さを実現しており、深切り加工においても斜め切れを大幅に改善するとのこと。またこの高い真直性により、従来品に比べて加工精度は維持したまま刃先出しが長くなっているため、ブレードライフが向上し、交換作業の削減および生産性の向上につながるとしている。
なおディスコ担当者によると、両製品ともテストカットの受付は開始しており、販売についてもすでに受注可能だとしている。


