日本電気硝子とビアメカニクスは11月19日、ガラスおよびガラスセラミックス製半導体パッケージ用無機コア基板の開発加速に向けた共同開発契約を締結したことを発表した。
現在の半導体パッケージは、コア基板としてガラスエポキシ基板をはじめとする有機材料ベースの基板が主に用いられているが、今後の高性能半導体向けパッケージでは、コア基板上の回路や微細加工穴(ビア)にさらなる微細化や高密度化、高速伝送が可能な電気特性が求められ、有機材料ベースの基板ではこれらのニーズにこたえることが難しいと考えられている。そのため、代替素材としてガラスが注目されるようになっている。
しかし、一般的なガラス基板の場合、CO2レーザーで穴あけを行うと、クラック(割れ目)が入りやすく、基板が破損してしまうという課題があることから、レーザー改質とエッチングを用いたビア形成が必要となり、加工難易度の高さや加工時間の長さが課題となっているとされる。
今回の共同開発は、そうした課題の解決を協力して進めることを目的に、日本電気硝子が長年培ってきたガラスやガラスセラミックスのノウハウとビアメカニクスのレーザー加工技術を融合することを目的に、ビアメカニクスのレーザー加工装置を日本電気硝子が導入し、無機コア基板の早期開発を目指すというものとなるという。