日本電気硝子とビアメカニクス、次世代半導体パッケージ向け無機コア基板の共同開発契約を締結

現在の半導体パッケージは、コア基板としてガラスエポキシ基板をはじめとする有機材料ベースの基板が主に用いられているが、今後の高性能半導体向けパッケージでは、コア基板上の回路や微細加工穴(ビア)にさらなる微細化や高密度化、高速伝送が可能な電気特性が求められ、有機材料ベースの基板ではこれらのニーズにこたえることが難しいと考えられている。そのため、代替素材としてガラスが注目されるようになっている。

しかし、一般的なガラス基板の場合、CO₂レーザーで穴あけを行うと、クラック(割れ目)が入りやすく、基板が破損してしまうという課題があることから、レーザー改質とエッチングを用いたビア形成が必要となり、加工難易度の高さや加工時間の長さが課題となっているとされる。

今回の共同開発は、そうした課題の解決を協力して進めることを目的に、日本電気硝子が長年培ってきたガラスやガラスセラミックスのノウハウとビアメカニクスのレーザー加工技術を融合することを目的に、ビアメカニクスのレーザー加工装置を日本電気硝子が導入し、無機コア基板の早期開発を目指すというものとなるという。

なお、共同開発において、日本電気硝子の役割としては、「無機コア基板に使用するガラス基板およびガラスセラミックス基板のコア材料設計・開発」、「ガラス基板およびガラスセラミックス基板の量産に向けた技術開発」、「試作品の提供および技術課題解決に向けた提案」の3つ、ビアメカニクスの役割としては、「CO₂レーザーによるクラックレスのビア形成技術開発支援」、「実用化に向けた無機コア基板の評価方法の提案」の2つが挙げられるという。

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  日本電気硝子の半導体パッケージ向けガラスセラミックコア基板「GCコア」のイメージ (出所:日本電気硝子)