SK hynixは、広帯域メモリ規格HBMの最新世代となるHBM3(High Bandwidth Memory)の量産を開始したと発表した。まずはNVIDIAに出荷するという。SK hynixは2021年10月にHBM3を開発したと発表しており、7か月での提供開始となる。

HBMは、複数のDRAMチップを垂直に積層して相互接続することで、DDRなどのほかのDRAM製品と比べて広帯域なデータ処理を実現する高性能メモリ。HBM3は、HBM(第1世代)、HBM2(第2世代)、HBM2E(第3世代)に続く第4世代に位置づけられており、最大819GB/sのメモリ帯域幅を提供するという。

人工知能やビッグデータなどの分野では、より高速かつ大量のデータを処理することが求められており、HBMはそうしたニーズに対応することができるため、今後、幅広い業界での採用が期待されている。

NVIDIAは最近、SK hynixのHBM3 DRAMのサンプルに対する性能評価を完了したとのことで、2022年第3四半期より出荷される予定のNVIDIAのH100搭載システムで採用される予定となっていることから、SK hynixでも、そのスケジュールに対応する形でHBM3の生産量の拡大を進めていくとしている。

なお、SK hynixの社長兼最高マーケティング責任者であるKevin(Jongwon)Noh氏は、「NVIDIAとの緊密な協力を通じて、プレミアムDRAM市場における競争力を確保できた」と述べている。

  • SK hynixのHBM3

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