電源管理ICを手掛ける米ファブレスのPower Integrationsは、750V GaNスイッチを内蔵した力率改善(PFC)IC「HiperPFC-5」を発表した。
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「HiperPFC-5」のパッケージイメージ (出所:Power Integrations)
同製品は、独自の疑似共振 不連続動作モード(DCM)制御技術により、確実にスイッチング損失が低減され、低コストのブーストダイオードを使用できるとするほか、可変周波数エンジンにより、従来の電流臨界モード(CRM)ブーストPFC回路と比較して、ブーストインダクタのサイズを50％以上縮小できるという。
また、最大負荷時に0.98以上のPFを提供するほか、軽負荷時にも、力率改善機能(PFE)が入力フィルタ容量を補正し、20％の負荷時でも0.96の高PFを維持するとしている。さらに無負荷時消費電力は38mWとしている。
また、同社は2022年3月24日にスイスにR＆Dセンターを設立したことも発表している。
同社は世界中で約770名の従業員を擁しており、シリコンバレーの本社のほか、カナダ、マレーシア、英国にR＆Dセンターを有し、今回のスイスが海外で4番目のR＆Dセンターとなるという。
スイスのR＆Dセンターは、2000万ドルを投じて建設された4600m2の施設で、再生可能エネルギーや高電圧送電などで使用されるゲートドライバ向けの研究開発と製品開発を行うとしているほか、プロトタイプの開発に向けた表面実装技術(SMT)ラインも設置されているという。
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Power IntegrationsスイスR＆Dセンター開所式の様子 (出所:Power Integrations)
