キオクシアは5月13日、フラッシュメモリならびにSSDの研究・技術開発を強化し、新たな価値を提供する「記憶」技術の創造を目指し、横浜テクノロジーキャンパスに技術開発新棟(仮称)を建設すること、ならびに横浜市神奈川区にクリーンルームを備えた研究開発拠点「新子安研究拠点(仮称)」を新設すると発表した。
同キャンパスでは、新棟建設により、スペースを約2倍に拡張。製品評価機能をの拡充による品質力の強化を図るほか、将来の人員増強による製品開発能力の強化を行うとしている。
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横浜テクノロジーキャンパス 技術開発新棟の完成イメージ図。6階建てで延べ床面積は約4万m2
一方の新子安研究拠点は、クリーンルームを活用して材料や新プロセスを中心とした幅広い研究に取り組むとしている。
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新子安研究拠点の完成イメージ図。4階建てで延べ床面積は約1万3000m2
同社では、これら2つの施設に対し約200億円を投じるとしており、いずれも2023年の稼働を予定している。
また、両施設の稼働に伴い、横浜市ならびに川崎市内に分散していた同社の各部門が集結することとなる。そのため同社では、効率の向上ならびに、コラボレーションの活性化によるイノベーションの創出につながる働きやすい環境整備を進め、研究・技術開発を強化していくとしている。
