韓Hynix Semiconductorは、3ビット/セル(3bit per cell)技術を適用した、32GビットのNAND型フラッシュメモリの開発に成功したと発表した。
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Hynixが開発した、3ビット/セル技術を適用した、32GBのNAND型フラッシュメモリ製品 |
3ビット/セルはその名の通り、1つのセルに1ビットの情報を盛り込むSLC(Single Level Cell)や、1つのセルに2ビットの情報を盛り込む従来のMLC(Multi Level Cell)に続く技術で、1つのセルに3ビットの情報を盛り込むことが可能だ。
これによりセルの個数が減るので、製造原価を節減することができる。また製品もコンパクト化できるという長所があり、Hynixによると「2ビット/セルのMLCに比べ、チップ面積を30%以上縮小できる」ということだ。
今回開発された製品は、チップ8つを1つのパッケージとして構成されており、容量は32GBとなっている。さらにIntelやソニー、Micron Technologyなどが参加し設立したNAND型フラッシュメモリの業界団体である「ONFI(Open NAND Flash Interface)」の規定に従って作られた、世界最初のBA(Block Abstracted)対応NAND型フラッシュメモリ製品でもあるという。
Hynixでは今回開発した製品について、08年10月からの量産を計画している。
