Samsung Electronicsは6月23日、モバイル向けストレージソリューションとして、「UFS 5.0」を発表した。JEDECの最新組み込みメモリインターフェース標準を統合しつつ、読み込みで最大10.8ギガバイト/秒(GB/s)を実現するという。
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DRAM級に高速なフラッシュストレージへのアクセスを実現。Samsung UFS 5.0ソリューションで
UFSはモバイル環境でSoCとストレージを接続するインタフェースとして活用されてきたもので、これまでUFS 4.1が最新規格として活用されてきた。Samsung Electronicsが発表したのは大きくバージョンナンバーを進めた「UFS 5.0」で、最大10.8 GB/sのシーケンシャル読み取り速度と最大9.5 GB/sのシーケンシャル書き込み速度を達成。UFS 4.1比でいずれも約2倍という大幅なジャンプアップを実現し、オンデバイスAIアプリケーション処理を高速化するとしている。
オンデバイス環境ではメモリ容量に制約があることが多く、高性能なAIモデルを利用するにあたって大きなハードルとなっている。UFS 5.0ストレージはDRAM級の高速性能でNANDをメモリのように扱うことが可能で、従来のオンデバイスAIには使えたなかった大規模モデルの利用を実現。NANDをAI計算のコアインフラとして活用を推し進めていくという。
高速化にはクロックゲーティングや多電圧技術などさまざまな新技術が用いられたとのこと。性能向上だけでなく消費電力を大幅に削減したほか、前モデルよりも16.7%小型化して7.5mm×13mm×0.9mmサイズのパッケージに収めた。同社はUFS 5.0ストレージの量産を今年第4四半期に開始する予定で、バリアントには最大1TBもの大容量モデルも展開する。
この件について報じた媒体の中には、Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 6 ProやSnapdragon 8 Elite Gen 6、MediaTek Dimensity 9600 Pro、そしてSamsung Exynos 2700がUFS 5.0規格をサポートするかもしれない、という噂について取り扱うところもあるようだ。
