先端パッケージング技術の拡充でOSAT事業にも参入

進化したEMIBとFoverosを投入

Intel Foundryは、前工程であるウェハプロセス技術だけでなく、後工程のパッケージ技術も同時に顧客に提供することにしており、先端プロセスだけではなくパッケージ技術でもライバルに差異化を図ろうとしている。

すでに以前から量産現場で使われてきたパッケージング技術として2次元構成の「FCBGA (Flip Chip Ball Grid Array)」に加えて先端パッケージングとして2.5次元の 「EMIB (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge)」、さらには3次元チップレット技術となる「Foveros-S (従来型のFoverosを改称)」が用意されている。

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  Intelが活用している既存の量産向け先端パッケージング技術 (出所:Intel Foundry Direct Connectイベントで著者撮影、以下すべて)

将来の高帯域幅メモリのニーズに対応するために、これらの技術に新たに次世代の先端パッケジング技術が今回、新たに追加された。

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  新たに追加された先端パッケージング技術 (従来技術は薄い色で図示)

その1つがEMIBにTSV(Through Silicon Via)とMIM(Matal Insulator Metal)を付加した「EMIB-T」となる。TSVを採用することで、電力を直接チップに供給できるようになり、電気特性を改善して、複数のチップを接続することが可能になる。HBMやUCIeなどをチップレットで構成するのに適しているという。

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  TSVとMIMを採用したEMIB-Tの模式図

Foveroにも新たに2つのバリエーション(「Foveros-R」と「Foveros-B」)が追加された。これにより効率的で柔軟なオプションが顧客に提供されるようになる。2027年に量産開始される予定だという。

Foveros-RはRDLインターポーザーを採用した廉価版、Foveros-Bは、SiブリッジやIVR(Integrated Voltage Regulator)を追加した高付加価値版という位置づけである。なお従来のEMIBとFoverosは、これらの新たなバリエーションと区別するために、今後はそれぞれ「EMIB-M」、「Foveros-S」と改称されるとする。

Intel Foundryでは、さらなる将来の技術として5μmのバンプピッチを実現した「Foveros Direct」も投入する。Foveros Direct(3Dスタッキング) および組み込みマルチダイ相互接続ブリッジング(2.5Dブリッジング)を介して接続されたIntel 18A-PT上にIntel 14Aを用いるなど、システムレベルの統合を提供することを意図している。

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  従来のFoverosに新たに2つのバリエーションであるFoberos-RとFoberos-Bが2027年より追加される予定

光学回路も同一パッケージに実装