onsemiとInnoscienceが提携

onsemiは12月2日(米国時間)、中Innoscience Technologyと覚書(MoU)を締結し、Innoscienceの200mm GaN on Siを活用する形でGaNパワー半導体の生産拡大を目指すことを発表した。

この提携によりonsemiでは、Innoscienceのウェハ製造能力とGaNパワー半導体の量産能力とonsemiのパッケージング、ドライバー、システム統合に関する専門知識を組み合わせることで、迅速なプロトタイピング、デザインイン、さまざまなGaN市場への迅速な参入を実現することを目指すことができるようになるとしている。

InnoscienceのGaNウェハを活用したGaNパワー半導体をonsemiが開発

具体的には、onsemiがInnoscienceの先進的なウェハ製造技術を活用し、40～200Vの低電圧および中電圧GaN電源ポートフォリオの拡大を図るとする。特に、産業用にはロボット用モータドライブ、太陽光マイクロインバータ、オプティマイザといったアプリケーションを、自動車向けにはDC-DCコンバータ、同期整流、通信インフラではDC-DCおよびポイントオブロードコンバータ、コンシューマ/マスマーケットの電源、アダプタ、DC-DCコンバータ、モータドライブ、オーディオ、軽量eモビリティ、電動工具、ロボット工学、そしてAIデータセンターの中間バスコンバータ、DC-DCコンバータ、バッテリバックアップユニットといった各アプリケーションに最適化されたGaNソリューションの迅速な量産と世界規模での展開が可能となるとしている。

なお、この取り組みを通じて開発されたGaN製品についてonsemiでは、2026年上半期にサンプル出荷を開始する計画としている。