SCREENセミコンダクターソリューションズとIBMは9月30日(米国時間)、次世代EUVリソグラフィ向け洗浄プロセスの開発に関する契約を締結したことを発表した。契約は、現在のナノシートデバイス技術を可能にした洗浄プロセスに関する共同開発の成果を基盤としている。

契約締結の背景

近年、先端半導体製造プロセスにおける微細化ニーズの高まりを受けて、EUV(極端紫外線)リソグラフィの導入が加速しており、特に次世代の露光技術であるHigh NA(高開口数)EUVは、2nm世代以降の微細化プロセスに不可欠な技術として注目されている。

こうした先端EUV露光プロセスでは、これまで問題視されなかったようなウェハ上の微小な異物や傷であっても露光への悪影響が生じるため、洗浄プロセスの重要性が高まっているという。

契約の概要

このような課題に対応するため、両社、High NA EUV向け洗浄技術の開発に焦点を当てた契約を締結。これにより、IBMの半導体プロセス集積化に関する専門知識と、SCREENの最先端ウェハ洗浄装置の融合を図る。

IBM Semiconductorsのゼネラル・マネージャー 兼IBM ハイブリッドクラウド担当バイス・プレジデントであるムケシュ・カレ(Mukesh Khare)氏は「AI時代に向けてより小型で高性能な半導体を開発する上で、High NA EUV技術は極めて重要です。SCREENとの協業を拡大し、IBMとそのエコシステム・パートナーがこの技術革新の恩恵を受けられるようになることを大変嬉しく思います」とコメント。

一方、SCREENセミコンダクターソリューションズ 代表取締役社長執行役員の岡本昭彦氏は「SCREENは、High NA EUVリソグラフィーの厳しい要求に応える洗浄技術の開発において、IBMとの協業をさらに深められることを嬉しく思います。SCREENの精密洗浄技術とIBMのフルスタック開発フローを融合することで、2nm以下の製造を実現する堅牢なソリューションを提供してまいります」と述べている。

共同開発契約を通じて、両社はHigh NA EUVリソグラフィーを用いた先端半導体製造における洗浄技術の開発をさらに加速し、デバイスメーカーにとっての付加価値を最大化するソリューションを提供していく考えだ。