東芝デバイス＆ストレージ、SiCウェハの高性能化などに向けて中SICCと連携

東芝デバイス＆ストレージが中国のSiCウェハメーカーと連携

東芝デバイス＆ストレージは8月22日、SiCパワー半導体用ウェハについて、中国の山東天岳先進科技(SICC)と、SiCパワー半導体の特性向上、品質改善に向けた技術協力およびその成果を用いた両社間での高品質で安定的なウェハ供給の拡大に向けたビジネス上の連携を行うことについて基本合意に至ったことを発表した。

東芝デバイス＆ストレージは、鉄道向けのSiCパワー半導体の開発、製造、供給の実績をベースとして、サーバ電源用、車載用などのSiCデバイス開発を進めており、今後、さらなるSiCパワー半導体の損失低減や将来の高効率電力変換用途における信頼性と効率向上に向けた製品開発を予定しているという。

パワー半導体の高性能化に必要なSiCウェハそのものの高性能化を連携で実現へ

そうした高性能化の実現には、独自の研究開発に加え、SiCウェハそのものの技術改良も必要で、そうしたSiCウェハを手掛けるSICCと連携することで、それぞれの用途に適したソリューションの実現などを目指すという。SICCは2010年の創業以降、一貫して単結晶SiCウェハの開発および生産を手掛けてきた専業SiCウェハメーカーで、2024年には300mmのSiCウェハを発表したほか、2025年に入ってからもn型、p型、半絶縁型の全製品において300mm SiCウェハを発表するなど、技術開発を進めてきたという。

東芝デバイス＆ストレージでは、今回の連携を機に、SiCパワー半導体製品側の目線からの要求事項や自社のSiCウェハの要素技術利用に関する期待値などをSICCのウェハ品質や信頼性の向上に結び付けていくことで、SiCパワー半導体の市場拡大につなげて行きたいとしている。なお、両社は8月8日に調印式を実施。今後は両社間において共同で、もしくは相互に協力して取り組みを進める項目について詳細な協議を進めていく予定だという。