RapidusがIIM-1製造の2nmGAAトランジスタの動作を確認 - ウェハも公開

Rapidus(ラピダス)は7月18日、北海道千歳市に位置する最先端半導体の開発・生産拠点「IIM-1」において、2nmノードのゲートオールアラウンド(GAA)トランジスタの試作を開始し、動作を確認したことを発表した。

またラピダスは同日に千歳市内にて、取引先やパートナー企業などに向けてIIM-1立ち上げの進捗状況を報告するカスタマーイベントを開催。同イベントに併せて開催された記者会見では、ラピダスの東哲郎取締役会長や小池淳義代表取締役社長兼CEOらが登壇し、IIM-1にて製造され動作が確認された“第1号ウェハ”を公開した。

記者会見に登壇したラピダスの東哲郎代表取締役会長、小池淳義代表取締役社長兼CEO、北海道の鈴木直道知事、千歳市の横田隆一市長

今回公開された2nm GAAトランジスタの試作ウェハは「魂のロット」呼ばれているという

“異例の速度での立ち上げ”が進むIIM-1

世界最先端のロジック半導体の開発・製造を目指し2022年に設立されたラピダスは、設計からウェハ工程、3Dパッケージなどのサイクルタイムを短縮したサービスの開発および提供を目指している。同社は2023年9月より、最先端半導体の開発・製造拠点となるIIM-1(IIM：Innovative Integration for Manufacturing)の立ち上げに着手。同拠点では、すべての製造工程において枚葉プロセスを導入し、新たなファウンドリサービス「RUMS(Rapid and Unified Manufacturing Service)の構築を進めているという。

Rapidusの開発・製造拠点「IIM-1」(提供:Rapidus)

そんなIIM-1については、2024年12月にクリーンルームの環境が整ったことを受け、2nmプロセスのリソグラフィ工程を担う半導体製造装置として、量産にも対応したASML製のEUV露光装置を導入したことが発表されていた。また装置搬入から約3か月後の2025年4月には、同装置を用いたパターンの露光・現像に成功したことを明かしている。

ラピダスの東会長は、IIM-1の特徴として“立ち上げ速度”を挙げ、「異例のスピードでの製造ライン立ち上げが進んでいることに対して、世界中からの注目が日に日に高まっていると感じる」と語る。

また同社によれば、2025年6月までに、200台以上の最先端の枚葉式半導体製造装置が、新たな搬送システムにより接続されたとのこと。そして今般、2nm GAAトランジスタの試作を開始し、その動作が確認されたことが発表された。

ラピダスの小池社長兼CEOは、2nmノードのGAAトランジスタについて、IIM-1の着工から2年足らずで動作を確認するに至ったことについて「考えられない速度」と表現し、特に2024年12月25日に搬入を行ったASMLのEUV装置を3か月足らずで稼働させたことに「大きな価値がある」と説明する。また短期間での達成を後押しした要因については、「北海道や千歳市から多大な支援を受けたこともあるが、我々の社員が本気になって取り組んだことで実現できた、大きな価値のある成果だと考えている」と、社員への感謝を口にした。