STとInnoscienceがGaN技術の共同開発契約を締結、互いの製造拠点を活用

GaNパワー半導体でSTとInnoscienceが協業

STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)と、8インチGaN-on-Si技術を有する中Innoscienceは、GaN技術の開発および製造で協力する契約を締結したことを発表した。

今回の協力関係の締結は、互いにサプライチェーンの柔軟性とレジリエンスによって、それぞれのGaN関連製品を拡張し、幅広い応用機器においてあらゆる顧客ニーズに対応することを目指したもの。