GaNパワー半導体でSTとInnoscienceが協業

STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)と、8インチGaN-on-Si技術を有する中Innoscienceは、GaN技術の開発および製造で協力する契約を締結したことを発表した。

今回の協力関係の締結は、互いにサプライチェーンの柔軟性とレジリエンスによって、それぞれのGaN関連製品を拡張し、幅広い応用機器においてあらゆる顧客ニーズに対応することを目指したもの。

具体的には、GaNパワーテクノロジーの共同開発イニシアティブに合意したとのことで、コンシューマ機器やデータセンター、車載用/産業用電源システムなど今後数年のうちに登場する、さまざまな応用機器に向けた将来性のあるGaNパワー技術を発展させていくとしている。

前工程工場での互いのウェハ製造を実施へ

また、今回の合意により、Innoscienceは中国国外にあるSTのウェハ製造拠点(前工程工場)を活用して自社のGaNウェハを利用できるようになる一方、STもInnoscienceの中国にあるウェハ製造拠点にて自社のGaNウェハを利用することができるようになるという。

なお、STでは、今回の合意を通じて、世界中の顧客の利益創出に向けて、GaNパワー技術のロードマップを加速させ、シリコンおよびSiC製品の補完を図りつつ、柔軟な製造モデルを活用することで、世界の顧客への製品供給を行っていくと説明している。