TI、データセンターの48V化対応を容易化するeFuseとGaN FETを発表

TPS1685の特長について、同社のパワースイッチ事業部で製品マーケティングマネージャーを務めるプリヤンク・カッカー(Priyank Kacker)氏は「従来型のディスクリートのホットスワップコントローラと外付けFETの組み合わせでは最大4kWの電力だが、同製品を複数個活用することで6kW超の電力処理にも対応することができるようになる」と説明。また、ホットスワップコントローラとFETが統合されているため設計を簡素化できるほか、電流監視のためのセンス抵抗と電流センスアンプも内蔵しながら、30mm²のLQFNパッケージを採用しているため、従来の4個のディスクリートFETとホットスワップコントローラで必要なフットプリント380mm²を大きく削減できる、部品コスト(BOM)も低減できるようになるともする。