SK hynix、12層HBM4 DRAMのサンプル出荷を開始

SK hynixは3月19日、広帯域メモリ(HBM)の最新世代かつ最高層となる12層のHBM4(12Hi HBM4)のサンプル出荷を主要顧客に対して開始したことを発表した。

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  SK hynixの12層HBM4チップ (出所:SK hynix、以下すべて)

このサンプル出荷は予定よりも早く行われたとのことで、顧客向け認証プロセスを開始。2025年下半期中に量産準備を終えることを目指すという。12Hi HBM4は2TB/sの帯域幅を実現しており、これは前世代のHBM3E比で60％以上の高速化だという。

また、12層HBM製品の中でも最大の36GBという容量を実現するために、独自コア技術「Advanced MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)」プロセスを採用。同プロセスは、チップの反りを防ぎ、放熱性を向上させて製品の安定性を向上させることが可能な技術だという。