STMicroelectronicsは2月20日(欧州時間)、データセンターおよびAIクラスタ向けとして、高性能な光インターコネクトを実現する次世代の独自技術を発表した。

STMicroelectronicsは2月20日(欧州時間)、データセンターおよびAIクラスタ向けとして、高性能な光インターコネクトを実現する次世代の独自技術を発表した。

同技術は、同社の新たなシリコンフォトニクス(SiPho)と次世代BiCMOS技術を組み合わせたもので、800Gbpsおよび1.6Tbpsの光モジュール向けに2025年後半から量産される予定だという。

同社では、次世代の光トランシーバに対し、独自のSiPho技術を活用することで、複数の複雑な部品を1チップに統合することを可能としたとするほか、独自のBiCMOS技術を活用することで、超高速ながら低消費電力な光通信を実現することを可能としたと説明している。

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