DRAM製造技術を中国に漏洩したSamsungの元部長に懲役7年の判決、韓国メディア報道

韓国のソウル中央地裁が2月19日、Samsung ElectronicsのDRAM製造技術を中国のDRAMメーカーCXMTに漏洩した産業技術保護法違反などの容疑でSamsungの元部長に対して懲役7年と罰金2億ウォン(約2100万円)の判決を下したほか、協力会社の社員に懲役2年6か月を宣告したと韓国メディアが報じている。

このSamsung元部長は、韓国政府が国家核心技術に指定したSamsungの18nm DRAMプロセスの情報を流出させ、CXMTのDRAM開発に転用させた疑いでソウル中央地検が身柄を拘束、起訴していた人物。捜査の結果、同氏は2016年のCXMT創業に際してSamsungからCXMTに転職、Samsung独自のALD技術など多数の重要技術を流出させたほか、その対価として数百億ウォン相当の金品を受けたとする。また、2022年には中国資本の投資を受けて中国で半導体製造装置メーカーを設立、Samsungやその協力会社の技術者を多数雇用し、各社の技術を持ち出すよう指示していたという。