三菱電機、xEV用SiC-MOSFETチップのサンプル提供を11月14日より開始

サンプル提供が開始されるのは、同社独自構造を採用したトレンチ型SiC-MOSFETチップで、従来のプレーナ型SiC-MOSFETと比べて電力損失を約50％低減することが可能。これによりインバータの性能向上を図ることができるようになり、xEVの航続距離の延伸や電費改善を図ることができるようになると同社では説明している。