韓国の200mmウェハ専業ファウンドリであるSK keyfoundryは9月11日、モバイルおよび車載用途向けとなる第4世代0.18μm BCDプロセスを発表した。

同プロセスは前世代となる第3世代0.18μm BCDプロセス比で約20％の性能向上を実現したとするほか、3.3V/5V/18Vなど、さまざまなパワーデバイスゲート入力を備えた最大40Vのパワーデバイスの提供を可能とする。そのため、サーバやノートPC向けパワーマネジメントIC(PMIC)やDDR5 DRAM向けPMIC、モバイル機器用充電器、オーディオアンプ、車載のゲートドライバなど幅広いアプリケーションに適用ができると同社では説明している。また、オプションとしてMTP(Multi-Time Programmable)/OTP(One-Time Programmable)メモリやSRAMなども提供することで、顧客の製品設計の容易化につなげるともしている。

さらに、車載用途としてAEC-Q100グレード1を満たしているほか、金属間誘電体(IMD)プロセスもオプションとして提供。これにより1万5000Vを超す電圧に耐えることが可能な自動車部品の設計にも対応できるようになるとしている。

なお、同社では今後もパワー半導体向けプロセス技術の競争力強化を継続的に行っていくことで、高い成長が見込まれるさまざまなアプリケーションに対応し、事業の拡大を図っていくとしている。