STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は、次世代の組み込みプロセッサの実現に向けて、18nm FD-SOI技術および組込み相変化メモリ(ePCM)をベースとした新たなプロセス技術を発表した。

同技術は、同社とSamsung Foundryが共同開発によるもので、従来のSTが活用してきた40nm組み込み不揮発性メモリ(eNVM)技術と比べて、 電力効率(性能対電力比)が50％以上向上、不揮発性メモリ(NVM)の実装密度2.5倍向上、AIやグラフィックアクセラレータ、最先端セキュリティおよび安全機能などのデジタルペリフェラルの集積度が3倍向上、RFノイズの3dB改善によるワイヤレスマイコンのRF特性の向上などを実現できるとしている。

STでは、この技術をベースとしたSTM32マイクロコントローラ(マイコン)を、2024年後半に特定顧客向けサンプル出荷を開始し、2025年後半からの量産開始を行うことを予定しており、高性能および大容量メモリの実現により、現在マイクロプロセッサを使用している開発者に対して、より高集積でコスト効率に優れたマイコンというオプションを提供することができるようになるとコメントしている。