三菱電機がパワーデバイスに約2600億円を投資、熊本県にSiCパワー半導体新工場を建設

三菱電機は3月14日、パワーデバイス事業に対し2021年度から2025年度までの累計設備投資を2021年11月に発表した従来計画から倍増となる約2600億円へと引き上げることを発表した。

世界的な脱炭素社会の実現に向けた省エネ志向の高まりや、GX(Green Transformation)実現への技術革新が求められており、そうした背景を踏まえ同社では、SiCパワー半導体の生産体制強化を中心に投資を加速させることを決定したとする。

具体的には、新たな8インチSiCウェハ工場を熊本県泗水地区に有する拠点に約1000億円をかけて建設するとしているほか、従来の6インチSiCウェハ製品の生産設備も増強を図り、さらなる事業拡大を目指すとしている。

• 三菱電機が熊本県に建設する予定の8インチSiCウェハプロセス(前工程)新工場棟のイメージ (出所:三菱電機)

また、約100億円を投じてパワー半導体の後工程新工場棟を福岡地区に建設。同地区内に点在する組立・検査工程の集約を図り、設計・開発から生産技術検証までを一貫して行う体制を構築し、製品開発力を向上させることで、市場ニーズに合わせた製品のタイムリーな量産化を目指すとしている。

なお、熊本県の新工場は2026年4月の稼働開始を予定しているという。