IBMとSamsung Electronicsは12月14日(米国時間)、ナノシート以降の微細化に向けた新たなトランジスタアーキテクチャ「Vertical Transport Field Effect Transistor(VTFET)」を、ニューヨーク州のAlbany Nanotech Complexで開発したことを発表した。

VTFETは、トランジスタをチップの表面に垂直に形成することで、電流を上下に流し、限られたスペースの中により多くのトランジスタを搭載することを可能とするほか、トランジスタの接続点の見直しにより、より大きな電流を低損失で流すことも可能とするとしている。シミュレーション上では、微細化されたFinFETと比べ、条件を同じとした場合(同じフットプリントと45nm以下の微細ゲートピッチ)、同等電力の場合、微細化FinFETの約2倍の性能を実現できることを確認したほか、電力性能曲線を外挿した等価周波数において、微細化FinFET比で85％の電力削減ができることも確認したという。

両社は、この技術を活用することで、今後の半導体デバイスのスケーリングの維持、1週間以上充電しなくても動作可能なバッテリー、IoTやエッジデバイスなどの適用範囲の拡大などの実現が可能になるとしている。

なお、両社は併せてSamsungがIBMの5nmノードチップの製造を担当することも明らかにしている。

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