Samsung、HKMGを採用した512GB DDR5 DRAMモジュールを開発

Samsung Electronicsは3月25日、HKMG(High-K/メタルゲート)プロセスを採用した512GB DDR5 DRAMモジュールを開発したことを発表した。

同DDR5モジュールのデータ転送速度は、DDR4の2倍以上となる最大7,200Mbpsで、スーパーコンピュータ、人工知能(AI)、機械学習など高速なコンピューティングを必要とする高帯域幅のワークロードに対応するとしている。

HKMGを採用した背景には、DRAMもロジック同様にプロセスの微細化が進むと、絶縁層が薄くなり、リーク電流が大きくなるという問題が生じるのを、絶縁体をHKMG材料に置き換えることで抑制することができるようになるためで、これにより従来ソリューション比で消費電力は約13％抑えることができるようになるという。

メモリ分野におけるHKMGプロセスは2018年に同社がGDDR6にて採用したことが初めてとされている。今回のDDR5では、TSV技術を活用して、8層の16Gビット DRAMを積層することで実現したという。

なお、同社は現在、さまざまなバリエーションのDDR5を検証のために顧客に向けてサンプリングしているという。