東芝、保護機能を内蔵した中大電流IGBT/MOSFET用フォトカプラを発売

東芝デバイス＆ストレージは3月10日、産業用インバータや太陽光発電用パワーコンディショナなど向けとして、コレクタ電圧モニターによる過電流検出機能などの機能を内蔵した中大電流IGBT/MOSFETプリドライブ用フォトカプラ「TLP5231」を製品化したことを発表した。

同製品は、後段のpチャネルおよび nチャネルのコンプリメンタリMOSFETバッファを介して、中大電流IGBTおよびMOSFETのゲートをコントロールするプリドライバで、外付けのコンプリメンタリMOSFETバッファを利用することで、バッファMOSFETゲートの充放電時のみの電流消費による低消費電力化を実現した。また、外付けのコンプリメンタリMOSFETバッファサイズの変更だけで、さまざまなIGBT/MOSFETで必要なゲート電流を作ることが可能であるため、同製品とMOSFETバッファ、IGBT/MOSFETの構成をプラットフォームとすることで、システムのパワーサイズに応じたラインアップを柔軟に構築することができるようになるという。

さらに、過電流検出後のIGBT/MOSFETゲート電圧のソフトターンオフ時間は、MOSFETバッファとは別の外付けMOSFETを介して制御可能といった機能や、コレクタ電圧モニタによる過電流検出時に加え、UVLO(低電圧ロックアウト)検出時にも一次側にフォルト信号を出力することも可能となっているとする。

なお、同製品はすでに量産出荷を開始しているという。