ルネサス エレクトロニクスは2月20日、調光機能内蔵の高精度・高効率LED照明用ドライバIC「R2A20135SP」を製品化したことを発表した。

同社では、LED電球内に搭載され、LEDのオンオフなどを行う高効率・高力率LEDドライバIC「R2A20134」を量産しているが、トライアック(パワー半導体)調光器に対応したLED照明システムの小型化と性能向上のため、外付けの専用回路で対応していた調光機能(明るさを調整する導通角の情報を検出して出力電圧に反映させる導通角検出回路)を内蔵したR2A20135SPを製品化した。

R2A20135SPは、LED電球で明るさを調整する際に必要な導通角検出回路を内蔵することで、従来のR2A20134に対し、調光用外付け回路面積を当社比で約40%を低減した。これによりシステムの小型化が図れると共に部品点数削減による低コスト化が可能となる。

電流制御のための基準電圧を同社従来品の0.6Vから0.2Vへ低電圧化することで、バラつきを15%から6%に約60%低減した。電流精度の向上により、LED輝度バラつきを低減でき、LEDの明るさを一定に保つことが可能となる他、LED照明生産時における電流の無調整化に貢献する。また、パワー半導体(パワーMOSFET)を用いてLEDへ電流供給を行う回路の構成を独自構成としており、 電流バラつきを改善できるため、LED輝度バラつきのさらなる低減が図れる。

さらに、R2A20135SP搭載のシステム設計をサポートする開発支援ツールとして、LED制御回路の応用回路ボード(トライアック調光器対応ボード)が用意されている。トライアックによる調光時に効率85%以上、力率0.9以上、全高調波歪(THD)20%以下と業界最高クラスの特性を実現しており、システムの省電力設計を可能としている。

非絶縁方式のLED照明システムにR2A20135SPを用いた場合、パワーMOSFETの耐圧(VDSS)を低減できるため、600V耐圧のパワーMOSFETよりも低価格の耐圧450V以下の製品が使用可能となり、LED照明システムのコストの低減にも寄与できる。

なお、R2A20135SPは、2012年3月よりサンプル出荷を開始する予定で、サンプル価格は1個当たり40円となっている。2012年6月から量産を開始し、同年12月以降には月産500万個を計画している。

ルネサスの調光機能内蔵 高効率LED照明用ドライバIC「R2A20135SP」製品写真

「R2A20135SP」応用回路ボードの製品写真