PCMは2010年に実用化 - Numonyx

STMicroelectronicsとIntelの合弁会社であるスイスNumonyxのブースでは、同社の主力製品であるNOR型フラッシュメモリの45nmプロセス品(1Gビット)および65nmプロセス品(1Gビット)のウェハ(ともに200mm)、ならびにNAND型フラッシュメモリの1Gビット、48nmプロセス品および16Gビット、48nmプロセス品のウェハ(ともに300mm)が展示されていたほか、ブースの入り口にはPCM(Phase Change Memory:相変化メモリ)のウェハ(200mm)が展示されていた。

同社のPCMは、現在90nmプロセスを採用した128Mビット品がサンプル出荷をしている段階。次は256Mビット品を予定しているとのことだが、市場の状況次第では、もっと大きな容量が出てくる可能性もあるという。

PCMはDRAMと同様にビット変更可能性(Bit Alterable)を持ちながら、フラッシュメモリのように不揮発性も持つというメモリ。理論値的にはランダムリードタイムはNORと同様の100nsでありながら、書き込み速度はNANDと同様の5MB/sであり、書き換え耐性(endurance)は10億回とNAND/NORいずれのフラッシュメモリよりも多いのが特長であり、プロセスの微細化も15nm程度まで可能と見込まれている。

NumonyxのPCM(90nmプロセス採用、128Mビット品)