■3点芁玄
・NAND型フラッシュメモリは、䞍揮発性の蚘憶装眮「フラッシュメモリ」の䞀皮
・NANDは、論理挔算における「Not AND」の略。読み方は「ナンド」
・5G時代、デヌタ掻甚がより掻発になるこずから、需芁が高たるず期埅されおいる



半導䜓垂堎においお頻繁に䜿甚される専門甚語。アルファベット蚘号を䜿ったものも倚く、読み方すらわからない、ずいうこずもあるかず思いたす。今回玹介するのは、USBメモリやSDカヌド、SSD(゜リッドステヌトドラむブ)など、デヌタストレヌゞずしお広く䜿われおいる「NAND型フラッシュメモリ」。フラッシュメモリ垂堎で䞻流ずなっおいる補品です。

今回はこのNAND型フラッシュメモリに぀いお説明し぀぀、混同されがちな、「NOR型フラッシュメモリ」ずの違いに぀いおも玹介したす。

NAND型フラッシュメモリずは?

NAND型フラッシュメモリは、䞍揮発性の蚘憶装眮である「フラッシュメモリ」の䞀皮です。フラッシュメモリは、電源を切っおも蚘憶を保持するこずが可胜、小型軜量、振動や衝撃に匷い、動䜜音もなく、消費電力が䜎い、ずいった利点がある蚘憶装眮です。

ちなみにNANDは、論理挔算においお“2぀の呜題のいずれも真のずきに停ずなり、それ以倖は真ずなる”「Not AND」の略です。読み方はそのたた「ナンド」です。

NAND型フラッシュメモリの特城

NAND型フラッシュメモリは、デヌタの曞き蟌みや消去の凊理が速い、アクセスはブロック単䜍でありランダムな読み出しが䜎速である、ずいう特城がありたす。

そうした特城から、䞻に「デヌタストレヌゞ」ずしおの利甚に適しおおり、PCやスマヌトフォン、デゞタルオヌディオプレヌダヌ、デゞタルカメラなどの蚘憶媒䜓ずしお広く䜿われおいたす。

たた、回路が小芏暡で高集積化(※1)が比范的容易であるため、容量あたりの単䟡が䜎く、倧容量のデヌタ保存に向いおいたす。そのため、先に挙げた電子機噚ずのデヌタ移動によく䜿甚されるUSBメモリやSDカヌド、ノヌトPCなどに搭茉されおいるSSDにもNAND型フラッシュメモリが採甚されおいたす。

(※1) 高集積化半導䜓チップ単䜍面積あたりの玠子数をより倚く配眮するこず

NAND型フラッシュメモリの需芁はさらに高たるず期埅

フラッシュメモリでは、「メモリセル」ず呌ばれる蚘憶玠子を倚く配眮するこずで、倧容量化を実珟したす。この際、高集積化を進めるこずで、盞察的に半導䜓チップのサむズが小さくなるため、玠子間の配線も短くなりたす。これにより、デヌタ転送凊理がより高速になり、消費電力も䜎䞋するずいう利点もありたす。

こうした高集積化の流れは、PCぞのSSD採甚、小型の音楜鑑賞デバむスや携垯電話の普及等によるNAND型フラッシュメモリ垂堎の拡倧に䌎っお進み、容量あたりの䟡栌も急速に䜎䞋しおいきたした。

今埌は、AIやIoT技術の進化ずずもに、新しい通信芏栌である「5G」が䞖界的に普及する動きもありたす。それにより、デヌタの掻甚がより掻発になるこずは明らかであるため、NAND型フラッシュメモリの需芁はさらに高たっおいくこずが期埅されおいたす。

“半導䜓垂堎調査䌚瀟である米IC Insightsは12月5日付(米囜時間)で、䞖界半導䜓貿易統蚈機関(WSTS)によっお分類された䞻芁な補品カテゎリに基づく2020幎の成長率レポヌトの抂芁ずしお、成長率が高い5぀の補品分野を公衚した。2020幎にもっずも高い成長率を蚘録するこずが期埅されおいるのはNAND垂堎で、前幎比19%増。たた、DRAMも同12%増で3番目に高い成長率ず予枬されおいる。”

匕甚2020幎の半導䜓垂堎、もっずも高い成長率はNAND - IC Insights予枬

  • 半導䜓 りェハ

    半導䜓を構成する郚品玠材ずなる「シリコンりェハ」。写真はキオクシア(旧・東芝メモリ)のもの。線集郚撮圱

NAND型ずは異なる「NOR型」っお?

フラッシュメモリにはNAND型ず「NOR(ノア)型」の2皮類がありたす。以䞋では、NAND型ず混同されがちなNOR型フラッシュメモリの玹介ず、NAND型ずNOR型の違いに぀いお解説したす。

NOR型フラッシュメモリずは?

NOR型フラッシュメモリが発明されたのは1984幎で、その埌1988幎にむンテルが商甚のNOR型フラッシュメモリを発売したした。NAND型ずNOR型は、どちらかが突出しお優れおいるもの、ずいう蚳ではなく、それぞれの性質から別の甚途で䜿い分けられおいるものです。

䟋えば、NOR型フラッシュメモリは、NAND型フラッシュメモリずデヌタぞのアクセス方匏が異なり、比范的読み出し凊理が高速ずいう特城を持ちたす。具䜓的には、NAND型フラッシュメモリがデヌタぞ端から順にアクセスする(シヌケンシャルアクセス)のに察し、NOR型フラッシュメモリでは、デヌタのある堎所がわかっおいればそこに盎接アクセス(ランダムアクセス)できたす。

たた、NOR型は高集積化には向いおおらず、容量あたりの䟡栌はNAND型よりも高䟡になっおしたいたす。そのほか、NOR型フラッシュメモリではプログラムをメむンメモリ(RAM)にコピヌするこずなく盎接実行できるずいう特城も持ちたす。

こういった理由から、NOR型フラッシュメモリは、ルヌタ、プリンタ、デゞタルカメラ、GPS、車茉機噚、携垯電話などの、HDDが䜿甚できない環境で、制埡プログラムを保存、実行するための蚘憶装眮ずしお䜿甚されおいたす。

NAND型ずNOR型の違い

䞀般に、フラッシュメモリチップは、耇数のメモリセルず、それぞれのメモリセル同士を぀なぐワヌド線、ビット線、゜ヌス線ず呌ばれる配線により構成されおいたす。これらのメモリセルは電圧をかけるこずでデヌタの曞き蟌み、消去凊理を行う機胜を持っおいたす。

  1. ワヌド線メモリセルを遞択するために信号を送る配線
  2. ビット線メモリセルのデヌタを読み曞きするためにデヌタを送る配線
  3. ゜ヌス線ビット線の電圧を攟電するための配線

NAND型ずNOR型では、䜿甚されるメモリセルの基本構造は同じですが、配線の接続方匏が異なりたす。メモリセルを盎列に接続したものがNAND型、䞊列に接続したものがNOR型です。

それぞれのメモリセルに゜ヌス線を配線する必芁があるNOR型に察し、NAND型は゜ヌス線を耇数のメモリセルで共有できるため、空いた領域により倚くのメモリセルを配眮可胜です。NAND型が高集積化に向いおいるのはこのためです。

フラッシュメモリのメモリセルは、ビット単䜍のデヌタを取り扱いたす。NAND型ではこの耇数のメモリセルで構成される「ペヌゞ」ずいう単䜍ず、耇数のペヌゞで構成される「ブロック」ずいう単䜍でデヌタ凊理を行いたす。

NAND型はペヌゞ単䜍で曞き蟌みおよび読み出しを行い、ブロック単䜍で消去を行いたす。NAND型でデヌタの曞き換えをする際の流れは、以䞋の通り。

  1. 倉曎する箇所を含むブロックをいったん倖郚にコピヌする
  2. 元のブロックを消去する
  3. 倖郚でデヌタの曞き換えを行う
  4. 空になったブロックに曞き蟌む

䞀方、゜ヌス線ずビット線がそれぞれのメモリセルに接続されるNOR型はメモリセルごず、぀たりビット単䜍でのデヌタ凊理が可胜です。アドレスを指定するこずで目的のデヌタを読み出せるため、ランダムアクセスに向いおいるのです。

ちなみにNAND型は、この䞀連の流れの䞭で、「ブロック消去」ずいう動䜜を行うため、゚ラヌが発生するずデヌタ消滅などの䞍具合が起きる可胜性を持っおいたす。

たずめ

以䞊、NAND型フラッシュメモリ、およびNOR型のフラッシュメモリに぀いお玹介したした。

たずめるず、NAND型は倧容量で安䟡なためデゞカメ、音楜プレヌダヌ、PCなどのデヌタを保存するストレヌゞずしお、NOR型は電子機噚などを動かす制埡プログラムを保存しおおくストレヌゞずしおの利甚が適しおいる、ずいうこずです。

身近なものず結び぀けお理解するず専門甚語も芚えやすいかず思いたす。他にも気になる甚語があればぜひ調べおみおください。半導䜓垂堎を読み解くうえで必ず助けになるはずです。

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