お知らせ: プライバシーポリシーを一部改訂しました

理研など、「スキルミオン」と「アンチスキルミオン」の相互変換に成功

FNPP薄板で構成されたマイクロデバイスとそれを用いた実験結果。(a)マイクロデバイスの模式図。(b)マイクロデバイスの走査型電子顕微鏡像。(c・d)室温でマイクロデバイスに生成された、単一スキルミオン(c)とアンチスキルミオン(d)の面内磁場分布。(e)磁場中で温度勾配の熱流によるアンチスキルミオンからスキルミオンへの変換。(f)ゼロ磁場で温度勾配の熱流によるスキルミオンからアンチスキルミオンへの変換 (出所:理研Webサイト)

13

記事ページに戻る

編集部が選ぶ関連記事

アクセスランキング

ランキングをもっと見る

もっと見る

このカテゴリーについて

インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新。注目のIoTや自動運転など、半導体の適用範囲の拡大とともに成長が続く半導体業界の話題を詳細な説明付きで紹介します。