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(左)NVセンタを内包する横型ダイヤモンドp-i-nダイオードの模式図。レーザーを走査しながら電気的信号が検出され、それによって拡散長が評価された。(中央)電気的に検出されたNVセンタからの光電流。正の電圧はダイオードに対して逆バイアスが表されている。レーザーパワーを0~10mWまで変えたときの結果。(右)PDMRスペクトル。信号の谷がスピン状態の共鳴点であり、外部磁場による分裂は磁場センサとして機能することが示されている (出所:産総研Webサイト)

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