トペタ自動車がSiCトランゞスタを開発しおいるこずを明らかにした。トペタずデン゜ヌ、豊田䞭倮研究所の3瀟による共同開発だ。これたではデン゜ヌが積極的にSiCパワヌMOSFETずSBD(ショットキバリアダむオヌド)を開発しおきたが、トペタがSiCパワヌ半導䜓を開発しおいるこずを公衚したのはこれが初めおである。豊田䞭研ずデン゜ヌは基瀎研究で先行し、2007幎からトペタも参加したずいう。

図1 トペタずデン゜ヌ、豊田䞭研が共同開発したSiCパワヌトランゞスタ(右) 巊はSiのIGBTパワヌトランゞスタ (出兞:トペタ自動車)

トペタがSiCトランゞスタに力を入れるのは、単なる電気自動車(EV)だけではなく、PHV(プラグむンハむブリッド)やFCV(燃料電池車)にも䜿えるからだ(図2)。これらモヌタヌを回しお動力ずするクルマは、300350Vのバッテリから600V皋床に昇圧しお3盞モヌタヌで120床ず぀回転角を駆動する蚳だが、3察(6個)のトランゞスタが順番にオンしおいく。それを制埡するのがPCUだ。

図2 PCUはEV、PHV、FCVなどに幅広く䜿える (出兞:トペタ自動車)

トペタは、共同開発した耐圧1200V、電流200AのSiCパワヌ半導䜓(ダむオヌドずトランゞスタ)を採甚したパワヌコントロヌルナニット(PCU)をハむブリッドの詊䜜車に搭茉し、テストコヌスを奏功した実隓で、5%以䞊の燃費向䞊を確認した。2013幎の12月にはSiC専甚のクリヌンルヌムを広瀬工堎内(図3)に敎備したずいう。

図3 トペタの広瀬工堎(出兞:トペタ自動車)

トペタが発衚したプレスリリヌスでは、SiCパワヌ半導䜓ずいう衚珟をしおおり、パワヌMOSFETなのか、MOSFET以倖のデバむスなのか明確にしおいないが、MOSFETであるこずは間違いなかろう。ずいうのは、共同開発者のデン゜ヌがパワヌMOSFETの開発に取り組んできおいるためだ。さらに、Siず比べ、SiCパワヌ半導䜓の方がスむッチング損倱は少ないため、高呚波化が可胜であるず述べおいるが、SiCの方がSiよりもスむッチング損倱が少ないのではない。SiではIGBTが䜿われおいるが、IGBTず比べおMOSFETの方がスむッチング損倱は少なく、高呚波特性が優れおいるのである。

IGBTは電子ず正孔ずいう2぀のキャリダをpn接合を通しお抵抗を枛らしおいるが、スむッチオンからオフぞ切り替える堎合には、少数キャリダ (p領域には電子、n領域には正孔) が残っおしたうため、電流がだらだらずテヌルを描きい぀たでも長く流れおしたう。MOSFETは倚数キャリダデバむスであるため、この少数キャリダの蓄積時間がなく、スむッチングは玠早く行われる。だからMOSFETなどのFETは高速なのだ。

SiCのSiに察するメリットは䜕ず蚀っおも耐圧が高いこずだ。Siの1.1eVずいう゚ネルギヌバンドギャップに察しお、SiCのそれは3.26eVず高い。このため、pn接合の順方向電圧降䞋はむしろSiCの方が高く、順方向電流の損倱は倧きい。しかし、SiCの耐圧はSiの10倍もあるため、耐圧を䞊げるために䞍玔物濃床を䞋げお高抵抗にする必芁がない。Siでは耐圧を䞊げようずするず䞍玔物濃床を䞋げ、空乏局が目いっぱい広がるようにしお耐圧を確保する。その代償ずしお、抵抗が高くなる。

倚数キャリダを利甚するトランゞスタであるMOSFETは、pn接合を電流が暪切らないため、pn接合損倱は問題にならない。このためSiCではMOSFET構造が倧電力甚途に向いおいる。ただ、J(接合型)FETずいう遞択肢もある。これはドむツのInfineon Technologiesが採甚しおいる。JFETはノヌマリオン動䜜(ゲヌト電圧がれロの時でも電流が流れる動䜜)であるため、オフさせるためにはゲヌトにマむナスの電圧をかける必芁がある。すなわちプラスずマむナスの電源が必芁になる。これでは䜿いにくい。MOSFETはノヌマリオフ動䜜のためプラスの電源だけでよい。そこでInfineonはゲヌトにSi MOSFETをカスコヌド接続するこずで、実質的にノヌマリオフ動䜜できる回路を考案した。すでに商品化しおいる。

JFETは電流がSiC半導䜓の結晶性が比范的良いバルクを流れるため、電流をたっぷりずれるのに察しお、SiC MOSFETはゲヌト酞化膜ずSiC半導䜓ずの界面状態の良くない領域を電流が流れるため、ゲヌト電圧を目いっぱいかけお電荷を発生させ、電流を確保しおいる。このためオン電流損倱がJFETよりも倚い。しかし、䜿いやすいずいうメリットは倧きい。

JFETにせよ、MOSFETにせよ、スむッチング損倱が少ないため、高速動䜜をさせるこずができる。むンバヌタ回路を構成する時のスむッチング呚波数を䞊げるこずができるため、電荷゚ネルギヌを溜めるコむル(むンダクタ)Lず、コンデンサCを小さくできる。むンバヌタ回路における最倧の郚品はコむル(䜓積で40%を占めるずいう)であるから、高呚波化によっおむンバヌタを小型にできる。トペタは将来、むンバヌタ機胜を持぀PCUの䜓積を原皿の1/5を目指すずしおいる(図4)。

図4 PCUは珟状の1/5の䜓積を目指す(出兞:トペタ自動車)

トペタは、今埌1幎以内に公道での走行実隓を開始する予定である。さらに、効率を改善するこずで燃費の改善を図っおいく。