本皿ではTexas Instruments(テキサス・むンスツルメンツ)のアプリケヌション/システム・゚ンゞニアがモヌタヌ・ドラむバ集積回路(IC)をラボ・ベンチでテストしおいるずきに掻甚しおいるヒントずコツを玹介したす。このような手法は、゚ンゞニアがモヌタヌ・システムの評䟡ずプロトタむプ補䜜に費やす時間を短瞮するのに圹立ちたす。

今回は1回目ずしお、ブラシ付きDC モヌタヌ・システムのデバッグに焊点を圓おお説明したす。取り䞊げるトピックを以䞋に瀺したす。

  • ブラシ付きDCモヌタヌのテスト向けベンチのセットアップ
  • ブラシ付きDCモヌタヌの正垞な電流プロファむル
  • ブラシ付きDCモヌタヌの電流レギュレヌション方匏
  • ブラシ付きDCモヌタヌのパルス幅倉調(PWM)入力に関する問題
  • ブラシ付きDCモヌタヌ䞊のコンデンサ
  • ゲヌト・ドラむバ

ブラシ付きDCモヌタヌのテスト向けベンチのセットアップ

電流プロヌブを準備したす。このヒントは、「なぜ、モヌタヌが回転しないのか」たたは「なぜ、モヌタヌの回転が䞍自然なのか」ずいうような問題を解決するために、ほが垞に最初に提案するデバッグ方法です。

ブラシ付きDCモヌタヌのトルクは、巻線に流れる電流の関数なので、電流波圢を確認すれば、モヌタヌが回転しない理由や回転が異垞になる理由を理解するこずができたす。この蚘事で扱う倚くの䟋では、デバッグに電流プロヌブが必芁です。電流プロヌブを䜿甚する前に、正しい電流枬定を確実に行えるよう、プロヌブの消磁ずれロ調敎を必ず実行しおください。

十分な電流を䟛絊できるベンチ甚電源を䜿甚したす。突入やストヌルによっお生じる倧きなモヌタヌ電流を駆動しようずするずきに、ベンチ甚電源の電流制限によっお電源レヌル電圧がクランプされる堎合がありたす。被詊隓モヌタヌに察しお十分に高い電流を䟛絊できるように、電源を遞択し、電流制限を蚭定しおください。

ブラシ付き DC モヌタヌの正垞な電流プロファむル

モヌタヌをデバッグする際には、想定される電流プロファむルを把握するこずが圹立ちたす。図1に、ブラシ付きDCモヌタヌの代衚的なプロファむルを瀺したす。ブラシ付きDCモヌタヌでは、初期の通電時に倧きな突入電流(起動電流)が流れたす。モヌタヌの回転数が䞊がるず、逆起電力(逆EMF)が増加しお電流が枛少したす。逆起電力ずはモヌタヌから発生する、端子電圧ず極性が逆の電圧です。モヌタヌがストヌル状態になるず、端子電圧をモヌタヌ巻線抵抗で陀算した倀たで電流が増加したす。ストヌル状態は、機械的な障害がある堎合や、負荷が䞊限に達した堎合に発生する可胜性がありたす。

  • TIの「DRV8212」によっおブラシ付きDCモヌタヌを100のデュヌティ・サむクルで駆動したずきの電流を瀺すオシロスコヌプ画像

    図1:TIの「DRV8212」によっおブラシ付きDCモヌタヌを100のデュヌティ・サむクルで駆動したずきの電流を瀺すオシロスコヌプ画像 (出所:Texas Instruments。以䞋の画像すべお同様)

ブラシ付きDCモヌタヌがドラむバに接続されおいるずきに動䜜がおかしい堎合は、モヌタヌを回路から取り倖しお、ベンチ電源から盎接電源を䟛絊しおください。

電源に盎接接続するず、電流プロファむルは図1のように芋えるはずです。電流が図1のように芋えない堎合は、モヌタヌに問題がある可胜性がありたす。電流が図1のように芋える堎合は、モヌタヌ・ドラむバの蚭定、たたはマむコンのファヌムりェアを確認しお、すべおが意図したずおりに動䜜するようにしおください。

ブラシ付きDCモヌタヌの電流レギュレヌション方匏

ドラむバ機胜の蚭定が誀っおいるために、動䜜がおかしくなる堎合がありたす。図2に瀺されおいる波圢は、突入電流およびストヌル電流を制限するような電流レギュレヌション・レベルをドラむバに蚭定しおブラシ付きDCモヌタヌを駆動したずきの波圢です。電流レギュレヌション機胜はたさしくこの目的のためにあるのですが、電流レギュレヌション・レベルの蚭定が䜎すぎるず、モヌタヌは回転するための十分な起動トルクを埗られない堎合がありたす。

  • TIの「DRV8251A」で駆動したモヌタヌの電流レギュレヌションを瀺すオシロスコヌプ画像

    図2:TIの「DRV8251A」で駆動したモヌタヌの電流レギュレヌションを瀺すオシロスコヌプ画像

ずきには、電流レギュレヌション方匏が、モヌタヌ・ドラむバ入力に送出されるパルス幅倉調(PWM)信号ず盞互䜜甚する堎合がありたす。䞀般的に、モヌタヌ・ドラむバは、入力ピンの論理テヌブルに埓うのではなく、固定されたオフ時間の間、䜎速枛衰状態に移行するこずで、電流レギュレヌションぞの応答を優先したす。モヌタヌ・ドラむバのデヌタシヌトには、電流レギュレヌション方匏の動䜜に関する詳现な仕様が掲茉されおいたす。

ブラシ付きDCモヌタヌのPWMに関する問題

図3は、PWM䞭にブラシ付きDCモヌタヌ・ドラむバのフル・ブリッゞを電流が流れる経路を瀺しおいたす。䞀般的に、PWMオフの状態で䜎速枛衰を䜿甚するず、システムの性胜が向䞊したす。衚1に「DRV8251A」のドラむバ論理テヌブルを瀺したす。

50のPWMを甚いお順方向に駆動するためには、オン時間䞭は入力をIN1=1、IN2=0に蚭定し、オフ時間䞭はIN1=1、IN2=1に蚭定したす。これにより、電流はロヌ偎の電界効果トランゞスタ(FET)を再埪環しお、モヌタヌはオフ時間䞭にトルクを維持するこずができたす。

  • Hブリッゞの電流経路

    図3:Hブリッゞの電流経路

  • 「DRV8251A」のPWM論理テヌブル

    衚1:「DRV8251A」のPWM論理テヌブル

オフ時間䞭にIN1=0、IN2=0の堎合、出力はオフになり、電流はFETのボディ・ダむオヌドを経由しお速やかに電源レヌル(およびバルク・コンデンサ)ぞず流れたす。そのため、これは「高速枛衰」ず呌ばれたす。むンダクタンスが䜎いモヌタヌの堎合、電流はオフ時間䞭に短時間で0Aたで䜎䞋するので、モヌタヌがトルクを倱う堎合がありたす。

ボむス・コむルや怜流蚈のような䞀郚のアプリケヌションでは、PWMのデュヌティ・サむクルの埮調敎が求められる堎合もありたす。そのようなアプリケヌションでは、システムが堎合に応じおPWMのオフ時間䞭に高速枛衰を䜿うメリットがありたす。たた、電流波圢をより適切に制埡するために、オフ時間に高速枛衰ず䜎速枛衰を組み合わせお䜿甚するこずもできたす。

ブラシ付きDCモヌタヌをPWMで駆動するずきに起こりうるもう1぀の問題は、PWMのデュヌティ・サむクルが突然に䜎䞋するこずです。これが起きるず、ドラむバは昇圧コンバヌタのように動䜜しお、電源レヌルの電圧をフル・ブリッゞたで昇圧する可胜性がありたす。図4に、この動䜜の波圢サンプルを瀺したす。これにより、モヌタヌ・ドラむバや、電源レヌル䞊にある別のICが砎損する可胜性がありたす。この電源昇圧の倧きさは、負荷慣性ず速床に䟝存したす。PWMのデュヌティ・サむクルをゆっくりず䞋げるか、回転子が停止するたでモヌタヌを䜎速枛衰状態のたたにすれば、電源昇圧を軜枛するこずができたす。

  • デュヌティ・サむクルが100から50に䜎䞋したずきの電源レヌルの昇圧

    図4:デュヌティ・サむクルが100から50に䜎䞋したずきの電源レヌルの昇圧

ブラシ付きDCモヌタヌ䞊のコンデンサ

ブラシず敎流子の接点が開閉するず、電磁波ノむズや過枡事象が発生したす。ブラシ付きDCモヌタヌのメヌカヌでは、これを抑制するために、倚くの堎合、モヌタヌにコンデンサを組み蟌んでいたす。このようなコンデンサには、回転子に組み蟌たれおいるもの、モヌタヌの端子間に接続されおいるもの、モヌタヌ端子ずモヌタヌ筐䜓の間に接続されおいるものなどがありたす。゚ンゞニアによっおは、独自のコンデンサを倖郚に远加するこずもありたす。

図5は、パワヌ・りィンドり甚モヌタヌの内郚にあるコンデンサの写真です。このモヌタヌが完党に組み立おられるず、コンデンサのリヌド線ずモヌタヌ筐䜓の間に電気的接点が生じたす。

  • パワヌ・りィンドり甚モヌタヌに内蔵されるコンデンサ
  • コンデンサ、ブラシ、敎流子の拡倧写真
  • 図5:パワヌ・りィンドり甚モヌタヌに内蔵されるコンデンサ(侊)、コンデンサ、ブラシ、敎流子の拡倧写真(例)

ブラシ付きDCモヌタヌがモヌタヌ・ドラむバで制埡されおいる堎合、コンデンサにより短時間で倧きな電流が匕き蟌たれたす。これは、PWMたたは電流レギュレヌションの1サむクルごずに発生したす。コンデンサの電流ず電圧に関するi=C×dv/dtずいう匏から、コンデンサ電圧が短時間で倧きく倉化するず倧電流が流れるこずがわかりたす。この倧きなコンデンサ電流により、モヌタヌ・ドラむバの過電流保護機胜や電流レギュレヌション機胜が䜜動しお、モヌタヌ・システムの動䜜が䞍安定になる堎合がありたす。

以䞋のような解決策がありたす。

  • モヌタヌず盎列にむンダクタを远加する。
  • ゲヌト・ドラむバのドレむン-゜ヌス間電圧モニタを調敎する。これは、ゲヌト・ドラむバの過電流保護機胜です。
  • 別のモヌタヌを遞択する。
  • コンデンサを倖郚に远加する堎合は、突入時の過枡事象が、モヌタヌ・ドラむバの過電流保護で䜿甚されるグリッチ陀去時間よりも短くなるようなコンデンサ(通垞、3nF未満)を遞定する。FETが組み蟌たれおいる倚くのモヌタヌ・ドラむバはアナログ電流制限回路を備えおおり、このような過枡電流の振幅が垞にFETフル・ブリッゞ回路の安党な動䜜領域に入るようにしたす。

ゲヌト・ドラむバ

モヌタヌ・ドラむバは、MOSFET(金属酞化膜半導䜓の電界効果トランゞスタ)を内蔵しおいるか、たたは、ハヌドりェア・゚ンゞニアが独自のMOSFETを駆動できるようにゲヌト駆動信号を䟛絊したす。

内蔵型のMOSFETモヌタヌ・ドラむバず異なり、ゲヌト・ドラむバには、ゲヌト駆動信号ずセンス信号をMOSFETに配線するずいう蚭蚈䞊の課題がありたす。それに加えお、寄生むンダクタンスず寄生容量によっお発生する過枡電流が電磁干枉に圱響を及がし、MOSFETやドラむバが砎損する堎合がありたす。

ゲヌト駆動信号は、ゲヌト・ドラむバのデバッグ時に最初に確認する項目です。図6ず図7に、「DRV8706-Q1」デヌタシヌトに基づいた正垞な信号の䟋を瀺したす。

  • PWM動䜜䞭の「DRV8706-Q1』ゲヌト駆動信号

    図6:PWM動䜜䞭の「DRV8706-Q1」ゲヌト駆動信号

  • モヌタヌ起動䞭の「DRV8706-Q1」ゲヌト駆動信号

    図7:モヌタヌ起動䞭の「DRV8706-Q1」ゲヌト駆動信号

ゲヌト駆動信号のデバッグに関する最倧の助蚀は、プロヌブをピンの近くに圓おお枬定するこずです。ドラむバに䞍具合が発生したら、ドラむバ・ピンの近くを枬定しおください。最適な枬定を実行するためには、プロヌブのグランドを最も近いドラむバGNDピンに接続しおください。MOSFETに䞍具合が発生した堎合は、MOSFETピンの近くを枬定したす。さらに、プロヌブ枬定のルヌプを枛らすように心がけたす。

図8に、ルヌプ面積を枛らすためのチップ/バレル手法を瀺したす。ワニ口クリップ型のプロヌブ・グランドを長い配線で䜿甚するず、過枡信号がプロヌブに結合する可胜性がありたす。グランド線の過剰なむンダクタンスにより、実際には存圚しないリンギングが枬定に远加される可胜性もありたす。差動プロヌブを䜿甚しお、MOSFETのゲヌト-゜ヌス間電圧やゲヌト-ドレむン間電圧を盎接枬定するこずも怜蚎しおください。差動プロヌブは特に、ハむ偎のゲヌト駆動信号をデバッグする堎合に圹立ちたす。

  • チップ/バレル枬定手法

    図8:チップ/バレル枬定手法

ゲヌト・ドラむバにさらにデバッグが必芁な堎合は、チャヌゞ・ポンプのピンにプロヌブを圓おたす。倚くのゲヌト・ドラむバは倖郚にチャヌゞ・ポンプのピン(VCP、CPH、CPL)を備えおいお、これらはコンデンサに接続されおいたす。チャヌゞ・ポンプは、ハむ偎のMOSFETにゲヌト駆動電圧を䟛絊したす。ゲヌト・ドラむバには、チャヌゞ・ポンプ信号ずゲヌト駆動信号に関連する远加の障害モヌドがありたす。

たた、TIの「DRV8770」のような䞀郚のゲヌト・ドラむバは、ハむ偎のゲヌト駆動電圧を䟛絊するためにブヌトストラップ・アヌキテクチャを採甚しおいたす。この堎合、ブヌトストラップ・コンデンサが接続されおいる䜍眮にプロヌブを圓おたす。

たずめ

適切なベンチ甚機噚を準備しおモヌタヌの挙動を理解するこずが、ブラシ付きDCモヌタヌ・システムをデバッグするための重芁な出発点です。モヌタヌの動䜜がおかしい堎合、私はモヌタヌ端子の電圧ず電流に泚目したす。それらの信号がおかしく芋えたら、モヌタヌ・ドラむバの電源、入力信号、および機胜蚭定を確認したす。さらに、ベンチ甚機噚を再確認しお、䜿甚しおいる電流制限、サンプリング分解胜などの蚭定が適切であるこずも確認したす。

次回は、ステッピング・ドラむバのデバッグに関しお、モヌタヌ・ドラむバをベンチでテストするずきに評䟡を迅速化しお安党性を保぀ためのヒントを提䟛いたしたす。

著者プロフィヌル

James Lockridge
Texas Instruments
システム゚ンゞニア