Samsung、1c nmDRAMプロセスと4nmロジックプロセス採用のHBM4の量産出荷を開始

先端DRAM/ロジックプロセスを活用したHBM4の量産を開始

Samsung Electronicsは2月12日、同社の第6世代10nmプロセスである1c nm DRAMプロセスおよび4nmロジックプロセスを採用したHBM4の量産出荷を開始したことを発表した。

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• Samsungが量産出荷を開始したHBM4 (出所:Samsung)

同社はHBM4の技術競争力を高めることを目的に1c nm DRAMプロセスを適用しつつ、HBMの最下部に配置され、電力や信号制御を担うベースダイに性能と電力効率を考慮して4nmロジックプロセスを採用したと説明しており、この結果、TSVデータ送受信の低電圧設計技術の適用と電力分配ネットワーク(PDN)の最適化により、前世代と比べてエネルギー効率を約40％改善、熱抵抗特性は約10％、放熱特性は約30％向上しつつ、JEDEC標準である8Gbpsを約46％上回る11.7Gbpsの動作速度を安定的に確保できるようになったとする。

また、動作速度は最大13Gbpsまで向上させることが可能であり、AIのモデルサイズが大きくなればなるほど問題となるデータ転送のボトルネックの解消につながることが期待されるとしている。

さらに、メモリ帯域幅はHBM3E比で約1.22倍となる最大3.3TB/sとし、顧客が求める3.0TB/sを上回る性能を確保したともしている。

HBM4EやカスタムHBMの提供も計画

なお、提供されるHBM4は12層構造で24GB～36GBまで用意されているほか、顧客の製品スケジュールに併せて16層適用の最大48GB品の提供も計画しているという。

また、HBM4Eについても開発を進めており、2026年下半期からのサンプル出荷を行う計画としているほか、カスタムHBMについても2027年以降、顧客別のニーズに合わせて順次サンプル提供を行っていく予定だとしている。