SamsungのDRAM技術流出容疑で元役員らが検察に拘束

Samsung Electronicsの元役員と元研究員2名が、Samsungの18nmプロセスDRAM技術に関する中核技術を中国に流出させたとしてソウル中央地検情報技術犯罪捜査部により拘束されたと複数の韓国メディアが報じている。

それらによると、3名は2016年～2018年ころにかけて中国のDRAMメーカーCXMTに転職した際に、CXMTが先行して入手していたSamsungのDRAM技術を検証し、CXMTの18nmプロセスDRAM開発を支援した疑惑があるという。すでにこの技術流出に関与していた別のSamsungの元社員などが検察によって拘束されており、その捜査の過程で今回の元役員などの関与が判明したという。

技術流出による被害額は2024年基準で約5兆ウオンと試算

また、3名の被疑者らはCXMTへの勤務時代、Samsungの給与の5倍ほどとなる最大30億ウォン(1ウオン=0.1円換算で約3億円)の年俸を受け取っていたとみられている。さらに検察の試算では、Samsungは同プロセスの開発に約1兆6000億ウオン(約1600億円)を投じたとされる一方で、技術流出によって生じた被害額は2024年基準で約5兆ウオン(5000億円)、長期的に見れば数十兆ウオンにも達するとみられるとしている。

なお、今回拘束された3名について検察は近いうちに起訴する予定としているほか、CXMTにはまだ元Samsungの社員だった人物が複数材適している模様で、そうした人物たちに対する共犯についても捜査を行っていくとしている。

韓国勢が先行するメモリ技術を中心とする半導体技術は近年、中国企業による引き抜きなどによって中国側に流出をしていることを受けて、韓国は国家核心技術として指定した半導体やディスプレイ、自動車などの重要技術について、国外に流出させる犯罪に対する懲役の期間を伸ばすなど対策は打っているものの、中国への技術流出は続いている模様で、その入手方法に加えて、活用の方法についても複雑になってきているようである。