日本での先端半導体製造事業者の支援に向けた公募を開始

経済産業省(経産省)は9月3日、情報処理の促進に関する法律に基づき、経産大臣の指定を受けた指定高速情報処理用半導体の生産施設の設置ならびに指定高速情報処理用半導体の試作および需要の開拓その他の指定高速情報処理用半導体の生産を安定的に行うために必要な取り組みを最も適切に実施することができると認められる者を選定するための公募を開始したことを発表した。

対象はGAAプロセスでの製造が可能な工場を有する企業

受付期間は2025年9月3日から10月2日23時59分までで、公募対象の半導体については、「演算を行う半導体であって、面積が0.0187平方マイクロメートル以下の電子回路(6個のGAA構造のトランジスターで構成されるものに限る。)をその内部に含むもの」と規定されている。

また、公募にあたっては公募対象の半導体を生産するために必要な技術的な基礎の有無についても、前工程、後工程ともに細かく記載する必要があり、前工程についてはEUV露光技術の開発状況やパイロットラインの構築状況、テストチップの試作状況などの記載が求められている。

なお、2025年9月頭時点でEUV露光装置を導入し、GAA構造のトランジスターを日本国内で製造可能な企業はラピダス(Rapidus)のみで、今回の公募は同社への支援を年頭においたものとみられる。

  • Rapidusの2nm GAAプロセスを用いて製造された試作ウェハ

    Rapidusの2nm GAAプロセスを用いて製造された試作ウェハ