600VクラスのGaN HEMTの駆動に最適化したゲートドライバ

ロームは、600Vクラスの高耐圧GaN HEMT駆動に適した絶縁ゲートドライバIC「BM6GD11BFJ-LB」を開発したことを発表した。

  • 絶縁ゲートドライバIC「BM6GD11BFJ-LB」

    絶縁ゲートドライバIC「BM6GD11BFJ-LB」の外観 (出所:ローム)

同社はこれまで、シリコン半導体やSiC向け絶縁ゲートドライバICを手掛けてきたが、今回、それらの開発で培ったノウハウを生かす形でGaNデバイスの駆動に特化した絶縁ゲートドライバICの第1弾として同製品を開発したという。

独自技術でGaNデバイスの性能を引き出す

同製品は、高耐圧GaN HEMT向け絶縁ゲートドライバICで、急激な電圧上昇および下降を繰り返すスイッチング動作においてデバイスと制御回路を分離し、安全な信号伝送を実現できるため、同製品を組み合わせることで、GaNデバイスの高周波・高速スイッチングにおける安定した駆動を実現することができるようになるという。

この記事は
Members+会員の方のみ御覧いただけます

ログイン／無料会員登録

会員サービスの詳細はこちら