2035年のパワー半導体向けSiCウェハ市場規模は6195億円に成長、富士経済予測

富士経済は、さまざまな分野のデジタル化で需要の増加が続くパワー半導体向けウェハ市場の調査レポート「2025年版 パワーデバイス向けウェーハ市場の最新動向・技術トレンド」を発行したことを発表した。

同レポートは、パワー半導体向けウェハとして、シリコンウェハ、SiCベアウェハ、SiCエピウェハ、GaNウェハ、酸化ガリウムウェハ、ダイヤモンドウェハ、窒化アルミニウムウェハ、二酸化ゲルマニウムウェハの8品目を対象としたもので、市場動向やトレンド、技術課題・方向性、製品展開・開発状況などの調査を踏まえて、将来を予測したものだという。

SiCベアウェハ市場は2035年には6195億円に成長

それによると、シリコンパワー半導体を上回る特性を有するSiCウェハ(ベアウェハ)市場は、2024年に市場の需要鈍化があったものの中国メーカーによる販売の増加に伴い、販売数量(平方メートル)は前年比81.9％増と伸びたが、市場規模については中国勢の攻勢による6インチ(150mm)ウェハの価格下落の影響があり、同46.1％増の1436億円にとどまったとする。

また、2025年については、一部のパワー半導体メーカーが8インチSiCパワー半導体の生産ライン向け設備投資を先送りしていることもあり、販売数量(平方メートル)および市場規模はともに前年比20％増程度に留まると予想されるという。

今後は、8インチSiCウェハの販売が増加していくことが良そうされるものの、中国勢を中心とする価格競争の激化に伴い、販売数量(平方メートル)は順調に伸びるものの、市場規模はそこまでの伸びにはならないと予想。口径についても、現状、6インチが枚数として9割を占めているが、今後についても6インチが中心となるとするほか、8インチについては中国などで外販が始まっていることから、2026年以降、その市場規模を増していくと予想され、SiCウェハ全体の市場規模として2035年には2024年比4.3倍となる6195億円まで成長すると予測している。

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  SiCウェハの市場推移予測 (出所:富士経済)

2026年以降の市場立ち上げが予測されるダイヤモンドウェハ