キオクシア、第8世代BiCS FLASH TLC技術採用のNVMeエンタープライズSSDを発表

第8世代BiCS FLASH技術を採用したエンタープライズSSD

キオクシアは5月16日、同社の第8世代BiCS FLASH 3次元TLCフラッシュメモリ技術を採用したNVMeエンタープライズSSD「KIOXIA CM9シリーズ」を開発し、5月19日から22日にかけて米国ラスベガスで開催される「Dell Technologies World」にて試作品の参考展示を行うことを発表した。

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  NVMeエンタープライズSSD「KIOXIA CM9シリーズ」の外観 (出所:キオクシア)

同シリーズが採用する第8世代BiCS FLASH技術は、CMOS回路とメモリセルアレイを2枚別々のシリコンウェハにそれぞれに最適なプロセスで作製し、その後2枚のウェハを貼合するCBA(CMOS directly Bonded to Array)技術と、BiCS FLASHで電気的にアクセスするメモリセルを選択する際に電圧を印加するワード線・ビット線・選択ゲートのうち、選択ゲートを分離する絶縁体(選択ゲート分離体)を従来のメモリ機能を持たないダミーのメモリストリングに重ねて配置する方法から、選択ゲート分離体をメモリ機能を持つメモリストリング間に配置することで、ダミーメモリストリングを排除し、メモリ密度を高めることを可能とした「OPS(On Pitch SGD)」技術を採用することで、1Tb TLCでデータ読み出し時間40μs、データ書み込み速度205MB/s、インタフェース速度3.2Gbpsのメモリ動作を実現したもの。ワード線を218層積層し、メモリ密度は18.3Gb/mm²を実現したとする。

2.5インチ品で最大61.44TBを提供