マツダとロームは3月27日、次世代半導体の1つであるGaNを活用したパワー半導体を用いた自動車部品の共同開発を開始したことを発表した。
すでに両社は2022年よりSiC製パワー半導体を搭載するインバータの共同開発を進めているが、その取り組みを踏まえて協業範囲を拡大する形で新たにGaN製パワー半導体を用いた自動車部品の開発にも着手し、次世代電動車に向けた革新的な自動車部品の創出を目指すとする。
GaNパワー半導体は、従来のシリコン(Si)パワー半導体と比べてバンドギャップが広く電子移動度が高い、絶縁破壊強度が高い、高温耐性が高い、スイッチング速度が速いなどの特長があり、電力の高効率化や部品サイズの小型化などにつながることが期待されている。