北京大、2D材料を用いた高性能なGAA FETトランジスタを開発

研究チームが発見したというシリコンよりも柔軟かつ高い強度を有するとされる2D半導体材料であるビスマスオキシセレン化物(Bi₂O₂Se)と、high-K材料としてBi₂SeO₅を活用して製造され、ゲート長30nmで0.5Vの電圧動作、オン電流は1mA/μm 超、1.9psの固有遅延、エネルギー遅延積は1.84×10⁻²⁷Js/μmを示したという。